报告题目：黑磷、类黑磷二维原子晶体材料的半导体器件

报告人：鲍丽宏 副研究员（中国科学院物理研究所纳米物理与器件实验室）

报告时间：2017年6月9日15:10-15:30

报告地点：物理学院新楼五楼多功能报告厅

报告摘要：

黑磷是一种新型层状结构的直接带隙二维半导体材料，少层黑磷场效应晶体管表现出了优异的电流开关比性能（～105）和高空穴迁移率（1000 cm2/Vs），显示了其在逻辑、开关器件应用领域的巨大潜力。针对黑磷的不稳定性、调控导电类型的难题，我们在实验上首次发现了过曝PMMA覆盖层对黑磷的保护及调控导电类型的作用，实现了黑磷的P型（空穴型）及N型（电子型）分立场效应单元器件，进而将它们集成在一起，构筑了基于黑磷的栅调制二极管、双向整流器与逻辑反相器等一系列平面逻辑器件。另外我们成功实现了具有类黑磷结构的超薄SnSe单晶在PDMS柔性衬底上的外延生长，最薄厚度到9 nm，SnSe纳米薄片呈现八边形结构。并且首次在较大厚度范围内（> 10nm）发现了SnSe的拉曼频移与其厚度的依赖关系，最后通过在芯片上制备微型加热电极和热电偶温度计，对小尺度的SnSe单晶纳米薄片进行了热电性能测试，发现其塞贝克系数与体材相当，而且表现出了栅极调控的特性。

参考文献：

[1] G. C. Wang, L. H. Bao, H. -J. Gao et al. Nano Lett. 16 (2016) 6870.

[2] G. C. Wang, L. H. Bao, H. –J. Gao et al. 2D Mater. 4 (2017) 025056.

[3] T. F. Pei, L. H. Bao, H. –J. Gao et al. Adv. Electron. Mater 2 (2016) 1600292.

报告人简介：

鲍丽宏：中国科学院物理研究所副研究员。2008年在中国科学院物理研究所获博士学位，2009年1月至2013年8月先后在美国南卡罗莱纳大学和爱荷华州立大学从事博士后研究，2013年9月加入中国科学院物理研究所。主要研究方向为低维纳米材料的纳电子器件制作、输运特性以及二维原子晶体材料在低温、强磁场下的量子输运特性研究。发表Nano Lett., Adv. Mater., Appl. Phys. Lett.等SCI论文30余篇，引用1400余次, h-index为14。

邀请人：徐红星教授